+7(495)504-5954
+7(495)532-5954
пн-пт 10-18 сб-вс выходной
Информация
Поиск

Нормальный температурный диапазон ( 0 ~ 70 C )

Модуль памяти AQD-SD3L4GE16-MG 4G STD ECC SO-DIMM DDR3 1600 MHZ 1.35V&1.5V 512X8 MIC
Модуль памяти AQD-SD3L4GE16-MG 4G STD ECC SO-DIMM DDR3 1600 MHZ 1.35V&1.5V 512X8 MIC

7 349.79 р.
Включая НДС

Модуль памяти 96SD2-1G800NN-TR1 1G SO-DDR2-800 200PIN 128MX8 SAMSUNG CHIP
Модуль памяти 96SD2-1G800NN-TR1 1G SO-DDR2-800 200PIN 128MX8 SAMSUNG CHIP

3 208.60 р.
Включая НДС

Модуль памяти AQD-SD3L4GN16-SG 4G SO-DDR3-1600 204PIN 512X8 1.35V SAM(G)
Модуль памяти AQD-SD3L4GN16-SG 4G SO-DDR3-1600 204PIN 512X8 1.35V SAM(G)

6 879.39 р.
Включая НДС

Модуль памяти CIR-S3DUSI1304G DDR3 240 PIN, 4GB, 1333, 256Mx8 SAMSUNG
Модуль памяти CIR-S3DUSI1304G DDR3 240 PIN, 4GB, 1333, 256Mx8 SAMSUNG

5 343.90 р.
Включая НДС

Модуль памяти SQR-SD3I-2G1333SN MEMORY MODULE, SQRAM 2G SO-DDR3-1333 I-GRD SAM
Модуль памяти SQR-SD3I-2G1333SN MEMORY MODULE, SQRAM 2G SO-DDR3-1333 I-GRD SAM

6 610.29 р.
Включая НДС

Модуль памяти CIR-S4SUSS2104G DDR4 260 PIN, 4GB, 2133, 512Mx8 SAMSUNG
Модуль памяти CIR-S4SUSS2104G DDR4 260 PIN, 4GB, 2133, 512Mx8 SAMSUNG

5 997.13 р.
Включая НДС

Модуль памяти CIR-S4SUSR2416G 16GB DDR4 260 PIN, 16GB, 2400, 1Gx8 SAMSUNG
Модуль памяти CIR-S4SUSR2416G 16GB DDR4 260 PIN, 16GB, 2400, 1Gx8 SAMSUNG

21 586.16 р.
Включая НДС

Модуль памяти AQD-D4U16R21-SE 16GB MEMORY MODULE, 16GB DDR4 2133 1.2V REG-DIMM 1GbX8 SAM
Модуль памяти AQD-D4U16R21-SE 16GB MEMORY MODULE, 16GB DDR4 2133 1.2V REG-DIMM 1GbX8 SAM

37 629.17 р.
Включая НДС

Модуль памяти AQD-D4U4GE21-SG 4GB MEMORY MODULE, 4G ECC DDR4-2133 512X8 1.2V SAM
Модуль памяти AQD-D4U4GE21-SG 4GB MEMORY MODULE, 4G ECC DDR4-2133 512X8 1.2V SAM

10 038.69 р.
Включая НДС

Модуль памяти AQD-SD3L8GN16-SG 8G SO-DDR3-1600 512X8 1.35V&1.5V SAM(G)
Модуль памяти AQD-SD3L8GN16-SG 8G SO-DDR3-1600 512X8 1.35V&1.5V SAM(G)

13 136.37 р.
Включая НДС

Модуль памяти CIR-S3SUSH1001G DDR3 204 PIN, 1GB, 1066, 128Mx8 SAMSUNG
Модуль памяти CIR-S3SUSH1001G DDR3 204 PIN, 1GB, 1066, 128Mx8 SAMSUNG

2 749.50 р.
Включая НДС

Модуль памяти CIR-S3SUSO1604G 4GB DDR3 SO-DIMM 1600MHz 4GB 1.5V/1.35V 256Mx8 204
Модуль памяти CIR-S3SUSO1604G 4GB DDR3 SO-DIMM 1600MHz 4GB 1.5V/1.35V 256Mx8 204

5 343.90 р.
Включая НДС

Модуль памяти CIR-S3SUSP1608G DDR3 SO-DIMM 204 PIN, 8GB, 1600, 512Mx8, 1.5V/1.35V SAMSUNG
Модуль памяти CIR-S3SUSP1608G DDR3 SO-DIMM 204 PIN, 8GB, 1600, 512Mx8, 1.5V/1.35V SAMSUNG

9 226.27 р.
Включая НДС

Модуль памяти CIR-S4DUSR2416G 16GB, 288pin, DDR4 DIMM, 2400MHz, 1G x 8
Модуль памяти CIR-S4DUSR2416G 16GB, 288pin, DDR4 DIMM, 2400MHz, 1G x 8

21 586.16 р.
Включая НДС

Модуль памяти CIR-S4DUSS2104G 4GB, 288pin, DDR4 DIMM, 2133MHz, 512Mx8
Модуль памяти CIR-S4DUSS2104G 4GB, 288pin, DDR4 DIMM, 2133MHz, 512Mx8

5 997.13 р.
Включая НДС

Показано с 1 по 15 из 100 (всего 7 страниц)

Нормальный температурный диапазон ( 0 ~ 70 C )