+7(495)504-5954
+7(495)532-5954
пн-пт 10-18 сб-вс выходной
Информация
Поиск

Нормальный температурный диапазон ( 0 ~ 70 C )

Модуль памяти CIR-V3SESK1604G DDR3 SO-DIMM 4GB 1600MHz 4GB with ECC 1.5V/1.35V
Модуль памяти CIR-V3SESK1604G DDR3 SO-DIMM 4GB 1600MHz 4GB with ECC 1.5V/1.35V

По запросу
Включая НДС

Модуль памяти M3DT-4GSJ6LN9-F DDR3L SO-DIMM 4GB 1333MT/s 256Mx8 Samsung
Модуль памяти M3DT-4GSJ6LN9-F DDR3L SO-DIMM 4GB 1333MT/s 256Mx8 Samsung

По запросу
Включая НДС

Модуль памяти 96D3-2G1333NN-AP1 MEMORY MODULE, 2G DDR3-1333 240PIN 256X8 HYX(G)
Модуль памяти 96D3-2G1333NN-AP1 MEMORY MODULE, 2G DDR3-1333 240PIN 256X8 HYX(G)

По запросу
Включая НДС

Модуль памяти AD3S1333B1G9-BSSG ADATA 1GB PC3-10600 DDR3-1333MHz 204-Pin SoDimm
Модуль памяти AD3S1333B1G9-BSSG ADATA 1GB PC3-10600 DDR3-1333MHz 204-Pin SoDimm

По запросу
Включая НДС

Модуль памяти CIR-S2DUMG8001G DDR2 240 PIN, 1GB, 128Mx8 800, 1.8V MICRON
Модуль памяти CIR-S2DUMG8001G DDR2 240 PIN, 1GB, 128Mx8 800, 1.8V MICRON

По запросу
Включая НДС

Модуль памяти CIR-S2DUMG8002G DDR2 240 PIN, 2GB, 128Mx8 800, 1.8V MICRON
Модуль памяти CIR-S2DUMG8002G DDR2 240 PIN, 2GB, 128Mx8 800, 1.8V MICRON

По запросу
Включая НДС

Модуль памяти CIR-S2DUSG8001G DDR2 240 PIN, 1GB, 128Mx8 800, 1.8V SAMSUNG
Модуль памяти CIR-S2DUSG8001G DDR2 240 PIN, 1GB, 128Mx8 800, 1.8V SAMSUNG

По запросу
Включая НДС

Модуль памяти D3SP28161XH12AAI DSL DDR3 SO-DIMM 1GB 1600MHz (W/T)
Модуль памяти D3SP28161XH12AAI DSL DDR3 SO-DIMM 1GB 1600MHz (W/T)

По запросу
Включая НДС

Модуль памяти M3S0-1GSFCCN9 INNODISK DDR3 SO-DIMM 1GB 1333MHz 128Mx8 Samsung (0°C ~ +85°C)
Модуль памяти M3S0-1GSFCCN9 INNODISK DDR3 SO-DIMM 1GB 1333MHz 128Mx8 Samsung (0°C ~ +85°C)

По запросу
Включая НДС

Модуль памяти M4R0-BGS3GCSJ DDR4 RDIMM 32G B 2400MT/s 2Gx4 Samsung
Модуль памяти M4R0-BGS3GCSJ DDR4 RDIMM 32G B 2400MT/s 2Gx4 Samsung

По запросу
Включая НДС

Показано с 91 по 100 из 100 (всего 7 страниц)

Нормальный температурный диапазон ( 0 ~ 70 C )