+7(495)504-5954
+7(495)532-5954
пн-пт 10-18 сб-вс выходной
Информация
Поиск

Нормальный температурный диапазон ( 0 ~ 70 C )

Модуль памяти CIR-S3DUSK1308G DDR3 240 PIN, 8GB, 1333, 512Mx8 SAMSUNG
Модуль памяти CIR-S3DUSK1308G DDR3 240 PIN, 8GB, 1333, 512Mx8 SAMSUNG

8 319.32 р.
Включая НДС

Модуль памяти CIR-S3DUSK1608G 8Gb, 240pin, DDR3 DIMM 1600MHz 512M x 8
Модуль памяти CIR-S3DUSK1608G 8Gb, 240pin, DDR3 DIMM 1600MHz 512M x 8

8 319.32 р.
Включая НДС

Модуль памяти CIR-S3SUHK1304G DDR3 SO-DIMM 1333MHz, 204 , 4GB, 512M x 8 bit 1.5V / 1.35V
Модуль памяти CIR-S3SUHK1304G DDR3 SO-DIMM 1333MHz, 204 , 4GB, 512M x 8 bit 1.5V / 1.35V

6 556.92 р.
Включая НДС

Модуль памяти CIR-S3SUHK1604G DDR3 SO-DIMM 1600MHz, 204 , 4GB, 512M x 8 bit 1.5V / 1.35V
Модуль памяти CIR-S3SUHK1604G DDR3 SO-DIMM 1600MHz, 204 , 4GB, 512M x 8 bit 1.5V / 1.35V

4 941.77 р.
Включая НДС

Модуль памяти CIR-S3SUHK1608G DDR3 SO-DIMM 1600MHz 8GB, 512M x 8 bit 1.5V / 1.35V
Модуль памяти CIR-S3SUHK1608G DDR3 SO-DIMM 1600MHz 8GB, 512M x 8 bit 1.5V / 1.35V

10 165.07 р.
Включая НДС

Модуль памяти CIR-S3SUPG1001G 1Гб DDR3 SO-DIMM,204 PIN,1066, Single,128Mx8,Promos
Модуль памяти CIR-S3SUPG1001G 1Гб DDR3 SO-DIMM,204 PIN,1066, Single,128Mx8,Promos

2 248.61 р.
Включая НДС

Модуль памяти CIR-S3SUSI1002G DDR3 2GB 1066MHz, SO-DIMM 204-pin, 256Mx8, Single, 1.5 В, 0-85 С, SAMSUNG
Модуль памяти CIR-S3SUSI1002G DDR3 2GB 1066MHz, SO-DIMM 204-pin, 256Mx8, Single, 1.5 В, 0-85 С, SAMSUNG

2 629.25 р.
Включая НДС

Модуль памяти CIR-S3SUSI1004G DDR3 204 PIN, 4GB, 1066, 256Mx8 SAMSUNG
Модуль памяти CIR-S3SUSI1004G DDR3 204 PIN, 4GB, 1066, 256Mx8 SAMSUNG

4 818.59 р.
Включая НДС

Модуль памяти CIR-S3SUSI1302G DDR3 2GB 1333MHz, SO-DIMM 204-pin, 256Mx8, Single, 1.5 В, 0-85 С, SAMSUNG
Модуль памяти CIR-S3SUSI1302G DDR3 2GB 1333MHz, SO-DIMM 204-pin, 256Mx8, Single, 1.5 В, 0-85 С, SAMSUNG

2 629.25 р.
Включая НДС

Модуль памяти CIR-S3SUSI1304G DDR3 204 PIN, 4GB, 1333, 256Mx8 SAMSUNG
Модуль памяти CIR-S3SUSI1304G DDR3 204 PIN, 4GB, 1333, 256Mx8 SAMSUNG

4 818.59 р.
Включая НДС

Модуль памяти CIR-S3SUSI1602G DDR3 2GB 1600MHz, SO-DIMM 204-pin, 256Mx8, Single, 1.5 В, 0-85 С, SAMSUNG
Модуль памяти CIR-S3SUSI1602G DDR3 2GB 1600MHz, SO-DIMM 204-pin, 256Mx8, Single, 1.5 В, 0-85 С, SAMSUNG

2 629.25 р.
Включая НДС

Модуль памяти CIR-S3SUSK1308G DDR3 204 PIN, 8GB, 1333, 512Mx8 SAMSUNG
Модуль памяти CIR-S3SUSK1308G DDR3 204 PIN, 8GB, 1333, 512Mx8 SAMSUNG

8 319.32 р.
Включая НДС

Модуль памяти CIR-S3SUSK1608G DDR3 SO-DIMM 204 PIN, 8GB, 1600, 512Mx8 SAMSUNG 0°C-+85°C
Модуль памяти CIR-S3SUSK1608G DDR3 SO-DIMM 204 PIN, 8GB, 1600, 512Mx8 SAMSUNG 0°C-+85°C

8 319.32 р.
Включая НДС

Модуль памяти CIR-S3SUSO1602G DDR3 SO-DIMM 1600MHz 2GB (1.35V/1.5V)
Модуль памяти CIR-S3SUSO1602G DDR3 SO-DIMM 1600MHz 2GB (1.35V/1.5V)

2 629.25 р.
Включая НДС

Модуль памяти CIR-S4DUSN2104G 4GB , 288pin, DDR4 DIMM 2133MHz 512M x 8
Модуль памяти CIR-S4DUSN2104G 4GB , 288pin, DDR4 DIMM 2133MHz 512M x 8

4 066.58 р.
Включая НДС

Показано с 31 по 45 из 100 (всего 7 страниц)

Нормальный температурный диапазон ( 0 ~ 70 C )