Информация

Поиск

Расширенный температурный диапазон ( -40 ~ 85 C )

Модуль памяти M3SN-2GMJCI09-D Hynix, DDR3 SODIMM, 1333MHz, 2GB, 256Mx8, WT

Модуль памяти M3SN-2GMJCI09-D Hynix, DDR3 SODIMM, 1333MHz, 2GB, 256Mx8, WT

17 172.80 р.
Включая НДС

Модуль памяти M3SN-4GMJDI09-D Hynix, DDR3 SODIMM, 1333MHz, 4GB, 256Mx16, WT

Модуль памяти M3SN-4GMJDI09-D Hynix, DDR3 SODIMM, 1333MHz, 4GB, 256Mx16, WT

28 790.11 р.
Включая НДС

Модуль памяти CIR-W4SUSR2416G DDR4 16GB 260 PIN, 16GB, 2400, 1Gx8 W.T SAMSUNG

Модуль памяти CIR-W4SUSR2416G DDR4 16GB 260 PIN, 16GB, 2400, 1Gx8 W.T SAMSUNG

По запросу
Включая НДС

Модуль памяти CIR-W3SUSPS1308G 8GB DDR3 SO-DIMM 1333MHz 8GB 512Mx8 204 1.5V/1.35V Wide Temperature Series (TCASE: -40 ~ +85C)

Модуль памяти CIR-W3SUSPS1308G 8GB DDR3 SO-DIMM 1333MHz 8GB 512Mx8 204 1.5V/1.35V Wide Temperature Series (TCASE: -40 ~ +85C)

По запросу
Включая НДС

Модуль памяти CIR-W4DUSR2416G 16GB DDR4 DIMM 2400 DDR4 DIMM 2400MHz 16GB W.T.

Модуль памяти CIR-W4DUSR2416G 16GB DDR4 DIMM 2400 DDR4 DIMM 2400MHz 16GB W.T.

По запросу
Включая НДС

Модуль памяти CIR-W4DUSS2408G 8GB DDR4 DIMM 2400 8GB 512Mx8 1,2V Wide Temperature Series (TCASE: -40 ~ +85C)

Модуль памяти CIR-W4DUSS2408G 8GB DDR4 DIMM 2400 8GB 512Mx8 1,2V Wide Temperature Series (TCASE: -40 ~ +85C)

По запросу
Включая НДС

Модуль памяти AQD-D4U4GR21-SG 4G DDR4-2133 288Pin 512MX8 1.2V Registered Samsung Chip, 0 ~ 85°C

Модуль памяти AQD-D4U4GR21-SG 4G DDR4-2133 288Pin 512MX8 1.2V Registered Samsung Chip, 0 ~ 85°C

По запросу
Включая НДС

Модуль памяти CIR-W2SUMG6602G 2GB DDR2 SO-DIMM 667MHz 2GB 128Mx8 200 1.8V Wide Temperature Series

Модуль памяти CIR-W2SUMG6602G 2GB DDR2 SO-DIMM 667MHz 2GB 128Mx8 200 1.8V Wide Temperature Series

По запросу
Включая НДС

Модуль памяти CIR-W2SUMG8002G 2GB DDR2 SO-DIMM 800MHz 2GB W.T.

Модуль памяти CIR-W2SUMG8002G 2GB DDR2 SO-DIMM 800MHz 2GB W.T.

По запросу
Включая НДС

Модуль памяти CIR-W3DUSOS1602G 2GB DDR3L DIMM 1600 2GB 256Mx8 1.5V/1.35V Wide Temperature Series (TCASE: -40 ~ +85C)

Модуль памяти CIR-W3DUSOS1602G 2GB DDR3L DIMM 1600 2GB 256Mx8 1.5V/1.35V Wide Temperature Series (TCASE: -40 ~ +85C)

По запросу
Включая НДС

Модуль памяти CIR-W3DUSPS1608G 8GB DDR3L DIMM 1600 8GB 512Mx8 1.5V/1.35V Wide Temperature Series (TCASE: -40 ~ +85C)

Модуль памяти CIR-W3DUSPS1608G 8GB DDR3L DIMM 1600 8GB 512Mx8 1.5V/1.35V Wide Temperature Series (TCASE: -40 ~ +85C)

По запросу
Включая НДС

Модуль памяти CIR-W3SUSOS1302G 2GB DDR3 SO-DIMM 1333MHz 2GB 256Mx8 204 1.5V/1.35V Wide Temperature Series ( -40 ~ +85C)

Модуль памяти CIR-W3SUSOS1302G 2GB DDR3 SO-DIMM 1333MHz 2GB 256Mx8 204 1.5V/1.35V Wide Temperature Series ( -40 ~ +85C)

По запросу
Включая НДС

Модуль памяти CIR-W3SUSOS1602G SO-DIMM, DDR3 2Gb 1600MHz, W/T 1.35V/1.5V 256Mx8

Модуль памяти CIR-W3SUSOS1602G SO-DIMM, DDR3 2Gb 1600MHz, W/T 1.35V/1.5V 256Mx8

По запросу
Включая НДС

Модуль памяти CIR-W3SUSPS1608G SO-DIMM, DDR3 8Gb 1600MHz, W/T, 1.5V/1.35V 512Mx8

Модуль памяти CIR-W3SUSPS1608G SO-DIMM, DDR3 8Gb 1600MHz, W/T, 1.5V/1.35V 512Mx8

По запросу
Включая НДС

Модуль памяти CIR-W4SUSS2108G 8GB DDR4 SO-DIMM 2133MHz 8GB 512Mx8 260 1.2V Wide Temperature Series (TCASE: -40 ~ +85C)

Модуль памяти CIR-W4SUSS2108G 8GB DDR4 SO-DIMM 2133MHz 8GB 512Mx8 260 1.2V Wide Temperature Series (TCASE: -40 ~ +85C)

По запросу
Включая НДС

|<
<
1
2
3
>
>|

Показано с 16 по 30 из 33 (всего 3 страниц)

Расширенный температурный диапазон ( -40 ~ 85 C )